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東芝發布新一代BiCS FLASH? 全球首款256Gb、48層堆疊閃存
2015年08月19日

東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結構閃存注2,該閃存容量達到256Gb(32GB),同時采用了行業領先的三階存儲單元(TLC)技術。這款全新閃存適用于各種產品應用,包括消費級固態硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數據中心的企業級SSD。據悉,樣品將于9月開始發貨。

東芝全球首款全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™

東芝全球首款全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™

東芝BiCS FLASH™采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝,超越主流2D NAND閃存的容量,同時提高了可寫入/擦除次數及可靠性,并提高了寫入速度。

自2007年在全球首次推出了3D堆疊式結構閃存以來注3,東芝一直致力于優化大批量生產的研發。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求,東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域,積極推動3D堆疊式結構閃存,推出SSD等產品組合。

東芝于1987年在世界上最早開發出NAND閃存,作為閃存世界的締造者,一直秉承專業的精神,為消費者提供高速、優質的專業閃存體驗。目前,這一產品在東芝四日市工廠開始生產,預計于2016年上半年完工的新工廠也將生產該產品。

注1:據東芝調查。

注2:一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構,相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上),極大地提高了密度。

注3:據2007年6月12日東芝發布資料

* BiCS FLASH™是東芝公司的商標。

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